原子层沉积系统采用美国AII微量氧分析仪与露点仪

一、设备概述：
        原子层沉积系统是专门为工业化大规模生产而研发的4腔室原子层沉积系统。该系统配备多种材料的标准沉积工艺配方，满足工业应用需求。

二、产品优势：
       先进的软件控制系统：系统集工艺配方、参数设置、权限设定、互锁报警、状态监控等功能于一体；

三、技术指标：原子层沉积系统采用美国AII微量氧分析仪与露点仪
       基片尺寸 8英寸及以下
       基片加热温度 室温～500℃，控制精度±0.1℃
       前驱体输运系统 标准2路前驱体管路，可选配
       前驱体管路温度 室温～200℃，控制精度±0.1℃
       源瓶加热温度 室温～200℃，控制精度±0.1℃
       ALD阀 Swagelok快速高温ALD专用阀
       本底真空 ＜5*10^-3Torr，进口防腐泵
       载气系统 N₂或者Ar
       处理能力 4腔室，每腔室400片
       生长模式 连续高速沉积模式
       控制系统 PLC+触摸屏或者显示器
       电源 50-60Hz, 380V/40A交流电源
       沉积非均匀性 非均匀性＜±1% 片间非均匀性 <±1.5%
       设备尺寸 3000mmx800mmx2400mm

四、可沉积薄膜种类：原子层沉积系统采用美国AII微量氧分析仪与露点仪
       单 质：Co, Cu, Ta, Ti, W, Ge, Pt, Ru, Ni, Fe…
       氮化物：TiN, SiN, AlN, TaN, ZrN, HfN, WN …
       氧化物：TiO₂, HfO₂, SiO₂, ZnO, ZrO₂, Al₂O₃, La₂O₃, SnO₂…
       其它化合物：GaAs, AlP, InP, GaP, InAs, LaHfxOy, SrTiO₃,SrTaO₆…

五、应用实例：
       高K栅氧化层，存储容性电介质，铜互连中高深宽比扩散阻挡层，OLED无针孔钝化层，MEMS的高均匀镀膜，纳米多孔结构镀膜，特种光纤掺杂，太阳能电池，平板显示器，光学薄膜，其它各类特殊结构纳米薄膜原子层沉积系统采用美国AII微量氧分析仪与露点仪

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